Name: Накопитель SSD Samsung 990 EVO Plus 1 ТБ PCIe 4.0 NVMe M.2 SSD [MZ-V9S1T0BW]
SKU: GA011716
Price: 4058 TMT
Availability: InStock

Накопитель SSD Samsung 990 EVO Plus 1 ТБ PCIe 4.0 NVMe M.2 SSD [MZ-V9S1T0BW]

4,058 m

SKU: GA011716 Category: SSD M.2

Availability: In stock

Warranty period: 12 mo.

Description

Высокоскоростной внутренний твердотельный накопитель без выделенной DRAM-памяти (DRAM-less), использующий технологию HMB (Host Memory Buffer). Разработан на базе контроллера Samsung Piccolo (5-нм) и передовой 236-слойной флеш-памяти V-NAND TLC (8-го поколения). Модель получила обновленный контроллер с никелевым покрытием и оптимизированную терморегуляцию, что позволило повысить энергоэффективность на 73% по сравнению с базовой версией 990 EVO. Фирменная технология интеллектуальной записи Intelligent TurboWrite 2.0 с увеличенной pSLC-областью гарантирует стабильно высокую производительность при обработке емких файлов, редактировании видео и гейминге.

Additional information

Brand	Samsung
Model	990 EVO Plus
Features	Двухрежимный интерфейс PCIe 4.0 x4 и PCIe 5.0 x2: Накопитель обладает уникальной гибридной совместимостью. Он может работать как в стандартном режиме PCIe 4.0 x4, так и задействовать две линии новейшего стандарта PCIe 5.0 x2. Это снижает нагрузку на линии процессора без потери пропускной способности. Инновационная 236-слойная память V-NAND TLC: Использование 8-го поколения фирменной трехмерной памяти позволило существенно повысить плотность записи данных, улучшить стабильность ячеек и снизить задержки при поиске информации. Высокая энергоэффективность: Модернизированный 5-нанометровый контроллер Piccolo обеспечивает прирост энергоэффективности на 73% на ватт производительности по сравнению с предшественником (990 EVO), снижая нагрев материнской платы и экономя заряд аккумулятора в портативных устройствах. Технология Intelligent TurboWrite 2.0: Динамический SLC-кэш оптимизирован для обработки тяжелых файлов. При заполнении накопителя pSLC-зона гибко подстраивается, сохраняя пиковую скорость записи до 6300 МБ/с на больших объемах данных. Архитектура DRAM-less с поддержкой HMB: Накопитель не имеет выделенного чипа оперативной памяти, что удешевляет конструкцию и снижает тепловыделение. Вместо этого технология Host Memory Buffer (HMB) задействует до 64 МБ оперативной памяти самого компьютера для хранения таблицы трансляции адресов, сохраняя высокую скорость доступа.
Storage type	SSD
Write speed	Up to 6300 MB/s
Read speed	Up to 7250 MB/s
Form factor	M.2 2280
Data protocol	NVMe
Storage capacity	1 TB
Connection interface	PCIe Gen 4.0 x4
Warranty period	12 mo.