Name: Накопитель SSD SanDisk Extreme 1 ТБ PCIe 4.0 NVMe M.2 SSD [SDSSDX3N-1T00-G26]
SKU: GA011718
Price: 2860 TMT
Availability: InStock

Накопитель SSD SanDisk Extreme 1 ТБ PCIe 4.0 NVMe M.2 SSD [SDSSDX3N-1T00-G26]

2,860 m

SKU: GA011718 Category: SSD M.2

Availability: In stock

Warranty period: 12 mo.

Brand	Samsung
Model	SDSSDX3N-1T00-G26
Features	Двухрежимный интерфейс PCIe 4.0 x4 и PCIe 5.0 x2: Накопитель обладает уникальной гибридной совместимостью. Он может работать как в стандартном режиме PCIe 4.0 x4, так и задействовать две линии новейшего стандарта PCIe 5.0 x2. Это снижает нагрузку на линии процессора без потери пропускной способности. Инновационная 236-слойная память V-NAND TLC: Использование 8-го поколения фирменной трехмерной памяти позволило существенно повысить плотность записи данных, улучшить стабильность ячеек и снизить задержки при поиске информации. Высокая энергоэффективность: Модернизированный 5-нанометровый контроллер Piccolo обеспечивает прирост энергоэффективности на 73% на ватт производительности по сравнению с предшественником (990 EVO), снижая нагрев материнской платы и экономя заряд аккумулятора в портативных устройствах. Технология Intelligent TurboWrite 2.0: Динамический SLC-кэш оптимизирован для обработки тяжелых файлов. При заполнении накопителя pSLC-зона гибко подстраивается, сохраняя пиковую скорость записи до 6300 МБ/с на больших объемах данных. Архитектура DRAM-less с поддержкой HMB: Накопитель не имеет выделенного чипа оперативной памяти, что удешевляет конструкцию и снижает тепловыделение. Вместо этого технология Host Memory Buffer (HMB) задействует до 64 МБ оперативной памяти самого компьютера для хранения таблицы трансляции адресов, сохраняя высокую скорость доступа.
Storage type	SSD
Write speed	Up to 6300 MB/s
Read speed	5150 MB/s
Form factor	M.2 2280
Data protocol	NVMe
Storage capacity	1 TB
Connection interface	PCIe Gen 4.0 x4
Warranty period	12 mo.

Compare

Add to wishlist

Description

Твердотельный накопитель SSD SanDisk Extreme M.2 NVMe 1TB (SDSSDX3N-1T00-G26) обеспечивает высокую производительность благодаря интерфейсу PCIe Gen 4.0, предлагая скорость чтения до 5150 МБ/с и записи до 4900 МБ/с.

Additional information

Brand	Samsung
Model	SDSSDX3N-1T00-G26
Features	Двухрежимный интерфейс PCIe 4.0 x4 и PCIe 5.0 x2: Накопитель обладает уникальной гибридной совместимостью. Он может работать как в стандартном режиме PCIe 4.0 x4, так и задействовать две линии новейшего стандарта PCIe 5.0 x2. Это снижает нагрузку на линии процессора без потери пропускной способности. Инновационная 236-слойная память V-NAND TLC: Использование 8-го поколения фирменной трехмерной памяти позволило существенно повысить плотность записи данных, улучшить стабильность ячеек и снизить задержки при поиске информации. Высокая энергоэффективность: Модернизированный 5-нанометровый контроллер Piccolo обеспечивает прирост энергоэффективности на 73% на ватт производительности по сравнению с предшественником (990 EVO), снижая нагрев материнской платы и экономя заряд аккумулятора в портативных устройствах. Технология Intelligent TurboWrite 2.0: Динамический SLC-кэш оптимизирован для обработки тяжелых файлов. При заполнении накопителя pSLC-зона гибко подстраивается, сохраняя пиковую скорость записи до 6300 МБ/с на больших объемах данных. Архитектура DRAM-less с поддержкой HMB: Накопитель не имеет выделенного чипа оперативной памяти, что удешевляет конструкцию и снижает тепловыделение. Вместо этого технология Host Memory Buffer (HMB) задействует до 64 МБ оперативной памяти самого компьютера для хранения таблицы трансляции адресов, сохраняя высокую скорость доступа.
Storage type	SSD
Write speed	Up to 6300 MB/s
Read speed	5150 MB/s
Form factor	M.2 2280
Data protocol	NVMe
Storage capacity	1 TB
Connection interface	PCIe Gen 4.0 x4
Warranty period	12 mo.