Name: Накопитель SSD Samsung 990 EVO Plus 1 ТБ PCIe 4.0 NVMe M.2 SSD [MZ-V9S1T0BW]
SKU: GA011716
Price: 4058 TMT
Availability: InStock

Накопитель SSD Samsung 990 EVO Plus 1 ТБ PCIe 4.0 NVMe M.2 SSD [MZ-V9S1T0BW]

4,058 m

Артикул: GA011716 Категория: SSD M.2

Наличие: В наличии

Срок гарантии: 12 мес.

Описание

Высокоскоростной внутренний твердотельный накопитель без выделенной DRAM-памяти (DRAM-less), использующий технологию HMB (Host Memory Buffer). Разработан на базе контроллера Samsung Piccolo (5-нм) и передовой 236-слойной флеш-памяти V-NAND TLC (8-го поколения). Модель получила обновленный контроллер с никелевым покрытием и оптимизированную терморегуляцию, что позволило повысить энергоэффективность на 73% по сравнению с базовой версией 990 EVO. Фирменная технология интеллектуальной записи Intelligent TurboWrite 2.0 с увеличенной pSLC-областью гарантирует стабильно высокую производительность при обработке емких файлов, редактировании видео и гейминге.

Детали

Бренд	Samsung
Модель	990 EVO Plus
Особенности	Двухрежимный интерфейс PCIe 4.0 x4 и PCIe 5.0 x2: Накопитель обладает уникальной гибридной совместимостью. Он может работать как в стандартном режиме PCIe 4.0 x4, так и задействовать две линии новейшего стандарта PCIe 5.0 x2. Это снижает нагрузку на линии процессора без потери пропускной способности. Инновационная 236-слойная память V-NAND TLC: Использование 8-го поколения фирменной трехмерной памяти позволило существенно повысить плотность записи данных, улучшить стабильность ячеек и снизить задержки при поиске информации. Высокая энергоэффективность: Модернизированный 5-нанометровый контроллер Piccolo обеспечивает прирост энергоэффективности на 73% на ватт производительности по сравнению с предшественником (990 EVO), снижая нагрев материнской платы и экономя заряд аккумулятора в портативных устройствах. Технология Intelligent TurboWrite 2.0: Динамический SLC-кэш оптимизирован для обработки тяжелых файлов. При заполнении накопителя pSLC-зона гибко подстраивается, сохраняя пиковую скорость записи до 6300 МБ/с на больших объемах данных. Архитектура DRAM-less с поддержкой HMB: Накопитель не имеет выделенного чипа оперативной памяти, что удешевляет конструкцию и снижает тепловыделение. Вместо этого технология Host Memory Buffer (HMB) задействует до 64 МБ оперативной памяти самого компьютера для хранения таблицы трансляции адресов, сохраняя высокую скорость доступа.
Тип накопителя	SSD
Скорость записи данных	До 6300 МБ/с
Скорость чтения данных	До 7250 МБ/с
Форм-фактор	M.2 2280
Протокол передачи данных	NVMe
Объем накопителя	1 ТБ
Интерфейс подключения	PCIe Gen 4.0 x4
Срок гарантии	12 мес.